简体中文
English
服务电话:
0755-82111333
首页
关于东之洋
公司介绍
董事长致辞
企业文化
组织架构
荣誉资质
新闻中心
公司新闻
行业新闻
产品中心
PANJIT 强茂
CET
DK
ST
IR
ON
INFINEON
东芝TOSHIBA
FUJI
NXP
SANYO
FSC
JF
VISHAY
LT
NS
POWER
ROHM
海矽美MHCHXM
代理品牌
服务中心
质量服务
财务信息
技术支持
在线留言
下载中心
东之洋库存表
联系我们
新闻中心
公司新闻
行业新闻
质量服务
我们的质量管理体系保障有关我们公司、工厂的生产及销售的每件产品都高质量耐用。
联系我们
深圳市福田区鼎诚国际大厦1615-1617
电话:+86-755-82111333
传真:+86-755-83014943
公司新闻
您现在所处的位置 : 首页 > 新闻中心
MOS管和IGBT有什么区别呢?
2024-03-27 22:57:42
MOS管和IGBT有什么区别呢?
在电路设计中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。 MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。 什么是IGBT?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极广泛的应用。
IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。 IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 MOS管和IGBT结构特点:
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。
IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
首页
关于东之洋
新闻中心
产品中心
服务中心
在线留言
下载中心
联系我们
东之洋实业有限公司版权所有 沪ICP备09005615号
经典语录
技术支持 :
恩捷科技
展开
收缩
在线咨询
客服一
客服二
客服三